casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6200650XXOO
codice articolo del costruttore | R6200650XXOO |
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Numero di parte futuro | FT-R6200650XXOO |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6200650XXOO Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AA, A-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AA, R62 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6200650XXOO Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6200650XXOO-FT |
JANTXV1N6642U
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6643
Microsemi Corporation
JANTXV1N6643U
Microsemi Corporation
NRVHP140SFT3G
ON Semiconductor
PS414514
Powerex Inc.
PS415014
Powerex Inc.
R6000225XXYA
Powerex Inc.
R6000230XXYA
Powerex Inc.
R6000425XXYA
Powerex Inc.
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel