casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6000425XXYA
codice articolo del costruttore | R6000425XXYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6000425XXYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6000425XXYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6000425XXYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6000425XXYA-FT |
FMXA-4206S
Sanken
GATELEAD28134XPSA1
Infineon Technologies
GLHUELSE1626XPSA1
Infineon Technologies
GLHUELSE1627XPSA1
Infineon Technologies
GLPB3460G1K1457XPSA1
Infineon Technologies
HER301GA-G
Comchip Technology
HER301GT-G
Comchip Technology
HER302GA-G
Comchip Technology
HER302GT-G
Comchip Technology
HER303GA-G
Comchip Technology
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel