casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N6643
codice articolo del costruttore | JANTXV1N6643 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N6643 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/578 |
JANTXV1N6643 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | D, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6643 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N6643-FT |
F1T6GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T7G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T7G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T7GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T7GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T7GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FMN-3306S
Sanken
FMXA-4206S
Sanken
GATELEAD28134XPSA1
Infineon Technologies
GLHUELSE1626XPSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel