casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6007ENX
codice articolo del costruttore | R6007ENX |
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Numero di parte futuro | FT-R6007ENX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6007ENX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6007ENX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6007ENX-FT |
IRFI1310NPBF
Infineon Technologies
IRFI1010NPBF
Infineon Technologies
IRFI4228PBF
Infineon Technologies
IRFIBC30GPBF
Vishay Siliconix
2SK3045
Panasonic Electronic Components
IRFI720GPBF
Vishay Siliconix
IRFI740GLCPBF
Vishay Siliconix
IRLI630GPBF
Vishay Siliconix
IRFIZ48GPBF
Vishay Siliconix
R6008ANX
Rohm Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel