casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / R5F64112DFB#U0
codice articolo del costruttore | R5F64112DFB#U0 |
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Numero di parte futuro | FT-R5F64112DFB#U0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M16C/R32C/100/111 |
R5F64112DFB#U0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | R32C/100 |
Dimensione del nucleo | 16/32-Bit |
Velocità | 50MHz |
Connettività | EBI/EMI, I²C, IEBus, UART/USART |
periferiche | DMA, LVD, PWM, WDT |
Numero di I / O | 82 |
Dimensione della memoria del programma | 512KB (512K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 63K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 3V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 26x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-LQFP |
100-LFQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5F64112DFB#U0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R5F64112DFB#U0-FT |
DF2329VTE25V
Renesas Electronics America
DF2357TE20IV
Renesas Electronics America
DF2357TE20V
Renesas Electronics America
DF2357VTE13V
Renesas Electronics America
DF2361VTE34V
Renesas Electronics America
DF2362VTE34V
Renesas Electronics America
DF2364VTE34V
Renesas Electronics America
DF2367VTE33V
Renesas Electronics America
DF2398TE20V
Renesas Electronics America
DF2633RTE28V
Renesas Electronics America
A3PN030-Z2QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K50TC144-3
Intel
M2GL060TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
APA1000-FGG1152I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I2L
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
XC5VSX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
5CEFA9F23C7N
Intel
EPF10K100ARC240-3N
Intel