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codice articolo del costruttore | DF2329VTE25V |
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Numero di parte futuro | FT-DF2329VTE25V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8S/2300 |
DF2329VTE25V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Processore principale | H8S/2000 |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 25MHz |
Connettività | SCI, SmartCard |
periferiche | DMA, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 86 |
Dimensione della memoria del programma | 384KB (384K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 32K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
120-TQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2329VTE25V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF2329VTE25V-FT |
DF2552FC26DV
Renesas Electronics America
DF2643FC25V
Renesas Electronics America
DF2646RFC20JV
Renesas Electronics America
DF2648RFC20JV
Renesas Electronics America
HD6417041AF28V
Renesas Electronics America
HD6417041AVF16V
Renesas Electronics America
HD6437043AA00FV
Renesas Electronics America
HD64F7045F28V
Renesas Electronics America
D12332VFC20V
Renesas Electronics America
D12332VFC25V
Renesas Electronics America
LCMXO1200C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation