codice articolo del costruttore | R34120 |
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Numero di parte futuro | FT-R34120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
R34120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R34120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R34120-FT |
NSRLL30XV2T5G
ON Semiconductor
NSRM0230M2T5G
ON Semiconductor
NSRM30CM3T5G
ON Semiconductor
NSV1SS400T5G
ON Semiconductor
NSVR0240V2T5G
ON Semiconductor
NSVR0520V2T5G
ON Semiconductor
NSVRB521S30T5G
ON Semiconductor
NSVRB751S40T5G
ON Semiconductor
NXPSC04650BJ
WeEn Semiconductors
NXPSC04650DJ
WeEn Semiconductors
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel