casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NXPSC04650BJ
codice articolo del costruttore | NXPSC04650BJ |
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Numero di parte futuro | FT-NXPSC04650BJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPSC04650BJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 4A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 170µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC04650BJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NXPSC04650BJ-FT |
MBRF10H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel