casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NXPSC04650DJ
codice articolo del costruttore | NXPSC04650DJ |
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Numero di parte futuro | FT-NXPSC04650DJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPSC04650DJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 4A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 170µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC04650DJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NXPSC04650DJ-FT |
MBRF10H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel