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Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR,LF

Name: HN1B04FE-GR,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN1B04FE-GR,LF
Price: 0.042504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (425 reviews)

Numero parte MFG: HN1B04FE-GR,LF

quantità disponibile: 75650 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.042504

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HN1B04FE-GR,LF.pdf

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HN1B04FE-GR,LF specificazioni

codice articolo del costruttore	HN1B04FE-GR,LF
Numero di parte futuro	FT-HN1B04FE-GR,LF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HN1B04FE-GR,LF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max	100mW
Frequenza - Transizione	80MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN1B04FE-GR,LF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HN1B04FE-GR,LF-FT

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