casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / HN1A01FE-Y,LF
codice articolo del costruttore | HN1A01FE-Y,LF |
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Numero di parte futuro | FT-HN1A01FE-Y,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HN1A01FE-Y,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 100mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN1A01FE-Y,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HN1A01FE-Y,LF-FT |
ULN2064B
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ULN2065B
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ULN2075B
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ULQ2003A
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ULN2066B
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ULN2069B
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ULN2067B
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A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S1500L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGXEA7K2F35I3L
Intel
AX500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP2C20Q240C8
Intel