casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / QS8J5TR
codice articolo del costruttore | QS8J5TR |
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Numero di parte futuro | FT-QS8J5TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS8J5TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Potenza - Max | 600mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8J5TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS8J5TR-FT |
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