casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / STS4C3F60L
codice articolo del costruttore | STS4C3F60L |
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Numero di parte futuro | FT-STS4C3F60L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STS4C3F60L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS4C3F60L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STS4C3F60L-FT |
TPC8221-H,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8223-H,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8407,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8408,LQ(S
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6L09FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N16FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N35AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N15AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel