casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MAT14ARZ
codice articolo del costruttore | MAT14ARZ |
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Numero di parte futuro | FT-MAT14ARZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MAT14ARZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 4 NPN (Quad) Matched Pairs |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 60mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAT14ARZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MAT14ARZ-FT |
ULN2004ANG4
Texas Instruments
ULN2001A
STMicroelectronics
ULN2003A
STMicroelectronics
ULN2004A
STMicroelectronics
ULN2068B
STMicroelectronics
ULN2003ANE4
Texas Instruments
ULN2003AIN
Texas Instruments
ULN2002A
STMicroelectronics
ULN2064B
STMicroelectronics
ULN2065B
STMicroelectronics
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel