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Powerex Inc. QJD1210011

Numero parte MFG
QJD1210011
quantità disponibile
67510 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Powerex Inc.
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore QJD1210011
Numero di parte futuro FT-QJD1210011
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
QJD1210011 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V
Potenza - Max 900W
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
QJD1210011 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio QJD1210011-FT

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