casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FMM110-015X2F
codice articolo del costruttore | FMM110-015X2F |
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Numero di parte futuro | FT-FMM110-015X2F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
FMM110-015X2F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 25V |
Potenza - Max | 180W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | i4-Pac™-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMM110-015X2F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMM110-015X2F-FT |
APTM20DHM10G
Microsemi Corporation
APTM20DHM16T3G
Microsemi Corporation
APTM20DHM16TG
Microsemi Corporation
APTM20DHM20TG
Microsemi Corporation
APTM20DUM05TG
Microsemi Corporation
APTM20DUM10TG
Microsemi Corporation
APTM50A15FT1G
Microsemi Corporation
APTM50AM19STG
Microsemi Corporation
APTM50AM25FTG
Microsemi Corporation
APTM50AM70FT1G
Microsemi Corporation
A54SX08A-FTQ144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
10AX032H2F35E2LG
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
Intel
EPF10K200SBC356-1
Intel
10M02DCV36C7G
Intel