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Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1

Numero parte MFG
FF6MR12W2M1B11BOMA1
quantità disponibile
39740 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 255.832
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 200A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore FF6MR12W2M1B11BOMA1
Numero di parte futuro FT-FF6MR12W2M1B11BOMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolSiC™
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 496nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14700pF @ 800V
Potenza - Max 20mW (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore AG-EASY2BM-2
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FF6MR12W2M1B11BOMA1-FT

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