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Powerex Inc. QJD1210010

Name: QJD1210010
Brand: Powerex Inc.
SKU: QJD1210010
Availability: InStock
Rating: 4.5 (359 reviews)

Numero parte MFG: QJD1210010

quantità disponibile: 68270 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Powerex Inc.

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: QJD1210010.pdf

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QJD1210010 specificazioni

codice articolo del costruttore	QJD1210010
Numero di parte futuro	FT-QJD1210010
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
QJD1210010 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 800V
Potenza - Max	1080W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
QJD1210010 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	QJD1210010-FT

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