casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN7R0-40LS,115
codice articolo del costruttore | PSMN7R0-40LS,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN7R0-40LS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN7R0-40LS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1286pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R0-40LS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN7R0-40LS,115-FT |
SPB100N03S2L-03 G
Infineon Technologies
SPB100N03S2L03T
Infineon Technologies
SPB100N04S2-04
Infineon Technologies
SPB100N04S2L-03
Infineon Technologies
SPB100N06S2-05
Infineon Technologies
SPB100N06S2L-05
Infineon Technologies
SPB100N08S2-07
Infineon Technologies
SPB100N08S2L-07
Infineon Technologies
SPB10N10
Infineon Technologies
SPB10N10 G
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel