casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB100N08S2L-07
codice articolo del costruttore | SPB100N08S2L-07 |
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Numero di parte futuro | FT-SPB100N08S2L-07 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPB100N08S2L-07 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7130pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB100N08S2L-07 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB100N08S2L-07-FT |
IRLZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies
IRLZ44NSTRR
Infineon Technologies
IRLZ44NSTRRPBF
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IRLZ44ZS
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IRLZ44ZSPBF
Infineon Technologies
IRLZ44ZSTRRPBF
Infineon Technologies
NDBA100N10BT4H
ON Semiconductor
NDBA170N06AT4H
ON Semiconductor
NDBA180N10BT4H
ON Semiconductor
NP100P04PDG-E1-AY
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