casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB100N03S2L-03 G
codice articolo del costruttore | SPB100N03S2L-03 G |
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Numero di parte futuro | FT-SPB100N03S2L-03 G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPB100N03S2L-03 G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB100N03S2L-03 G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB100N03S2L-03 G-FT |
IRLZ24NSPBF
Infineon Technologies
IRLZ24NSTRL
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IRLZ24NSTRR
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IRLZ34NS
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IRLZ44NSTRR
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Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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EP2C20F484C6
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5CGXBC9A7U19C8N
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