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codice articolo del costruttore | PSMN7R0-100PS,127 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN7R0-100PS,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN7R0-100PS,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6686pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 269W (Tc) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R0-100PS,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN7R0-100PS,127-FT |
FDWS9510L-F085
ON Semiconductor
FDWS9509L-F085
ON Semiconductor
FDWS86068-F085
ON Semiconductor
FDPF33N25TRDTU
ON Semiconductor
FDPF51N25RDTU
ON Semiconductor
FDPF44N25TRDTU
ON Semiconductor
FDPF5N50TYDTU
ON Semiconductor
MTY100N10E
ON Semiconductor
NTY100N10
ON Semiconductor
NTY100N10G
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel