casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDWS9509L-F085
codice articolo del costruttore | FDWS9509L-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FDWS9509L-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDWS9509L-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3360pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5.1x6.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDWS9509L-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDWS9509L-F085-FT |
R6024KNZ1C9
Rohm Semiconductor
SCT3022ALGC11
Rohm Semiconductor
R6046FNZ1C9
Rohm Semiconductor
R6024ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6035ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6047ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6030ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6035KNZ1C9
Rohm Semiconductor
SCH2080KEC
Rohm Semiconductor
SCT2450KEC
Rohm Semiconductor
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel