casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDPF51N25RDTU
codice articolo del costruttore | FDPF51N25RDTU |
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Numero di parte futuro | FT-FDPF51N25RDTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDPF51N25RDTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3410pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F (LG-Formed) |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF51N25RDTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDPF51N25RDTU-FT |
R6024ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6035ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6047ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6030ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6035KNZ1C9
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