casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PH16030L,115
codice articolo del costruttore | PH16030L,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PH16030L,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PH16030L,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 41.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH16030L,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PH16030L,115-FT |
BUK7Y19-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y25-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y6R0-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y07-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y113-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y14-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y15-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y3R5-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y65-100E,115
Nexperia USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel