casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN2R7-30PL,127
codice articolo del costruttore | PSMN2R7-30PL,127 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN2R7-30PL,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN2R7-30PL,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3954pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R7-30PL,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN2R7-30PL,127-FT |
BUK7M10-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M12-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M12-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M17-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M21-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M22-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M27-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M33-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M42-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M45-40EX
Nexperia USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel