casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7M12-60EX
codice articolo del costruttore | BUK7M12-60EX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7M12-60EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BUK7M12-60EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1625pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
Pacchetto / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7M12-60EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7M12-60EX-FT |
RP1E090XNTCR
Rohm Semiconductor
RP1E100RPTR
Rohm Semiconductor
RP1E100XNTR
Rohm Semiconductor
RP1E125XNTR
Rohm Semiconductor
RP1H065SPTR
Rohm Semiconductor
RP1L055SNTR
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R6030MNX
Rohm Semiconductor
2SK2095N
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2SK2299N
Rohm Semiconductor
A3PE600-1PQG208I
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AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
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10AX115U2F45I2SGE2
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