casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7M27-80EX
codice articolo del costruttore | BUK7M27-80EX |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BUK7M27-80EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7M27-80EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1306pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
Pacchetto / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7M27-80EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7M27-80EX-FT |
RP1H065SPTR
Rohm Semiconductor
RP1L055SNTR
Rohm Semiconductor
RP1L080SNTR
Rohm Semiconductor
R6030MNX
Rohm Semiconductor
2SK2095N
Rohm Semiconductor
2SK2299N
Rohm Semiconductor
2SK2713
Rohm Semiconductor
2SK2740
Rohm Semiconductor
RDN050N20FU6
Rohm Semiconductor
RDN080N25FU6
Rohm Semiconductor
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel