casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PQMH2Z
codice articolo del costruttore | PQMH2Z |
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Numero di parte futuro | FT-PQMH2Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH2Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH2Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PQMH2Z-FT |
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100C8
Intel
5SGSMD5K3F40C2N
Intel
EP2AGX95DF25C6N
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C7N
Intel