casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PQMD16Z
codice articolo del costruttore | PQMD16Z |
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Numero di parte futuro | FT-PQMD16Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMD16Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz, 180MHz |
Potenza - Max | 350mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMD16Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PQMD16Z-FT |
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor
NSM11156DW6T1G
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NSM21156DW6T1G
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NSM21356DW6T1G
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NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FGG456I
Xilinx Inc.
AT40K20-2CQI
Microchip Technology
EP1SGX10CF672C5N
Intel
10M08SFE144C7G
Intel
EP4SGX360KF43I3N
Intel
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10M02DCV36I7G
Intel