casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PQMD12Z
codice articolo del costruttore | PQMD12Z |
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Numero di parte futuro | FT-PQMD12Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PQMD12Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 230MHz, 180MHz |
Potenza - Max | 350mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMD12Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PQMD12Z-FT |
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
A42MX09-3PQG100
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
Intel