casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMN49EN,135
codice articolo del costruttore | PMN49EN,135 |
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Numero di parte futuro | FT-PMN49EN,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMN49EN,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN49EN,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMN49EN,135-FT |
SI3434-TP
Micro Commercial Co
SN7002N E6327
Infineon Technologies
SN7002N E6433
Infineon Technologies
SN7002N L6327
Infineon Technologies
SN7002NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SN7002NH6433XTMA1
Infineon Technologies
SN7002NL6433HTMA1
Infineon Technologies
SQ2301ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2319ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel