casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PMBT3906VS,115
codice articolo del costruttore | PMBT3906VS,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMBT3906VS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMBT3906VS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 360mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMBT3906VS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMBT3906VS,115-FT |
EMZ1DXV6T1G
ON Semiconductor
EMZ1DXV6T5
ON Semiconductor
EMZ1DXV6T5G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T5
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T5
ON Semiconductor
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX02-VQG80I
Microsemi Corporation
APA1000-FG896M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FGG484
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2
Intel
5SGSED8N2F45I2
Intel
EP3SE80F1152C4LN
Intel
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation