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NXP USA Inc. PHD21N06LT,118

Numero parte MFG
PHD21N06LT,118
quantità disponibile
94790 pezzi
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore PHD21N06LT,118
Numero di parte futuro FT-PHD21N06LT,118
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHD21N06LT,118 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 5V
Vgs (massimo) ±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD21N06LT,118 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PHD21N06LT,118-FT

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