casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PH2520U,115
codice articolo del costruttore | PH2520U,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PH2520U,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PH2520U,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5850pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH2520U,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PH2520U,115-FT |
BUK9Y65-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y8R7-60E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN016-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN026-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R6-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-60YS,115
Nexperia USA Inc.
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel