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codice articolo del costruttore | PSMN4R0-60YS,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN4R0-60YS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN4R0-60YS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3501pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R0-60YS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN4R0-60YS,115-FT |
PMZB370UNE,315
Nexperia USA Inc.
PMZB380XN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB420UN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB790SN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB950UPELYL
Nexperia USA Inc.
PMXB40UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel