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codice articolo del costruttore | PSMN4R0-60YS,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN4R0-60YS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN4R0-60YS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3501pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R0-60YS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN4R0-60YS,115-FT |
PMZB370UNE,315
Nexperia USA Inc.
PMZB380XN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB420UN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB790SN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB950UPELYL
Nexperia USA Inc.
PMXB40UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel