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codice articolo del costruttore | PSMN026-80YS,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN026-80YS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN026-80YS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.5 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN026-80YS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN026-80YS,115-FT |
NX3008NBKMB,315
Nexperia USA Inc.
NX3008PBKMB,315
Nexperia USA Inc.
NX7002BKMBYL
Nexperia USA Inc.
PMZB1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB300XN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB370UNE,315
Nexperia USA Inc.
PMZB380XN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB420UN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNELYL
Nexperia USA Inc.
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel