casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PEMH17,115
codice articolo del costruttore | PEMH17,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PEMH17,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMH17,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMH17,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PEMH17,115-FT |
SMUN5330DW1T1G
ON Semiconductor
SSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5114DW1T1
ON Semiconductor
MUN5116DW1T1
ON Semiconductor
MUN5135DW1T1
ON Semiconductor
MUN5136DW1T1
ON Semiconductor
MUN5137DW1T1
ON Semiconductor
MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5211DW1T1
ON Semiconductor
MUN5212DW1T1
ON Semiconductor
EX256-TQ100
Microsemi Corporation
XC2VP20-5FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4SGX290KF40C4N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-3
Intel