casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / MUN5211DW1T1
codice articolo del costruttore | MUN5211DW1T1 |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5211DW1T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5211DW1T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5211DW1T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5211DW1T1-FT |
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5115DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
XC3SD1800A-4CS484I
Xilinx Inc.
XC3042L-8VQ100C
Xilinx Inc.
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
A42MX16-3PLG84
Microsemi Corporation
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29C4
Intel
EP3CLS70F780C7N
Intel
10AX027E1F27E1HG
Intel
EP20K100QC240-3N
Intel