casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PEMB3,115
codice articolo del costruttore | PEMB3,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PEMB3,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMB3,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB3,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PEMB3,115-FT |
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5111DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5214DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5331DW1T1G
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NSVMUN5333DW1T3G
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MUN5116DW1T1G
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