casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVMUN5333DW1T3G
codice articolo del costruttore | NSVMUN5333DW1T3G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMUN5333DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMUN5333DW1T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5333DW1T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMUN5333DW1T3G-FT |
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor
NSVB114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel