casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PEMB15,115
codice articolo del costruttore | PEMB15,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PEMB15,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMB15,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB15,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PEMB15,115-FT |
SMUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S4000L-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2LG
Intel
EP3C40F324A7N
Intel