casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTC114ET/DG/B2,21
codice articolo del costruttore | PDTC114ET/DG/B2,21 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTC114ET/DG/B2,21 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTC114ET/DG/B2,21 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC114ET/DG/B2,21 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTC114ET/DG/B2,21-FT |
FJNS4210RBU
ON Semiconductor
FJNS4211RBU
ON Semiconductor
FJNS4212RBU
ON Semiconductor
FJNS4212RTA
ON Semiconductor
FJNS4213RBU
ON Semiconductor
FJNS4213RTA
ON Semiconductor
FJNS4214RBU
ON Semiconductor
FJY4014R
ON Semiconductor
FJY4013R
ON Semiconductor
FJY4011R
ON Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel