casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJNS4212RBU
codice articolo del costruttore | FJNS4212RBU |
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Numero di parte futuro | FT-FJNS4212RBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJNS4212RBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4212RBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJNS4212RBU-FT |
PDTC144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AI
Microchip Technology
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX330-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation