casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJNS4214RBU
codice articolo del costruttore | FJNS4214RBU |
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Numero di parte futuro | FT-FJNS4214RBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJNS4214RBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4214RBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJNS4214RBU-FT |
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA114ET,215
Nexperia USA Inc.
AGLN020V2-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGXMBBR3H43I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3L
Intel
XA7A50T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel