casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTA115TK,115
codice articolo del costruttore | PDTA115TK,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTA115TK,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTA115TK,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA115TK,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTA115TK,115-FT |
BCR 183 B6327
Infineon Technologies
BCR 192 B6327
Infineon Technologies
BCR 503 B6327
Infineon Technologies
BCR 512 B6327
Infineon Technologies
BCR 519 E6327
Infineon Technologies
BCR 569 E6327
Infineon Technologies
BCR108E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR112E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR116E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR119E6327HTSA1
Infineon Technologies
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
Intel
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel