casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 192 B6327
codice articolo del costruttore | BCR 192 B6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 192 B6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 192 B6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 192 B6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 192 B6327-FT |
FJV3110RMTF
ON Semiconductor
UNR211E00L
Panasonic Electronic Components
DRA2124T0L
Panasonic Electronic Components
DRA2143T0L
Panasonic Electronic Components
DRC2114E0L
Panasonic Electronic Components
DRC2144E0L
Panasonic Electronic Components
FJV3101RMTF
ON Semiconductor
UNR211M00L
Panasonic Electronic Components
UNR212200L
Panasonic Electronic Components
BCR158E6327HTSA1
Infineon Technologies
LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I3L
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel