casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 512 B6327
codice articolo del costruttore | BCR 512 B6327 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BCR 512 B6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 512 B6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
Potenza - Max | 330mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 512 B6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 512 B6327-FT |
DRA2124T0L
Panasonic Electronic Components
DRA2143T0L
Panasonic Electronic Components
DRC2114E0L
Panasonic Electronic Components
DRC2144E0L
Panasonic Electronic Components
FJV3101RMTF
ON Semiconductor
UNR211M00L
Panasonic Electronic Components
UNR212200L
Panasonic Electronic Components
BCR158E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR562E6327HTSA1
Infineon Technologies
DRA2123Y0L
Panasonic Electronic Components
EPF10K30ATI144-2N
Intel
LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I2L
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation