casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTA114TMB,315
codice articolo del costruttore | PDTA114TMB,315 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDTA114TMB,315 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTA114TMB,315 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA114TMB,315 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTA114TMB,315-FT |
NSVDTA143EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC143ZM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA123EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
NSB9435T1G
ON Semiconductor
NSV9435T1G
ON Semiconductor
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX110DF27C8
Intel
10M04DCF256C7G
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
LFXP3C-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation