casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVDTA143EM3T5G
codice articolo del costruttore | NSVDTA143EM3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVDTA143EM3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVDTA143EM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 260mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTA143EM3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVDTA143EM3T5G-FT |
MUN5140T1G
ON Semiconductor
MUN5141T1G
ON Semiconductor
MUN5215T1G
ON Semiconductor
MUN5237T1G
ON Semiconductor
MUN5238T1G
ON Semiconductor
MUN5240T1G
ON Semiconductor
MUN5241T1G
ON Semiconductor
SMUN5111T1G
ON Semiconductor
SMUN5114T3G
ON Semiconductor
SMUN5214T1G
ON Semiconductor
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
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XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
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EP4SGX230FF35I4
Intel